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日本京都薄膜材料KTM用于光學薄膜形成的真空蒸發(fā)材料

發(fā)布時間：2020-08-14　點擊量：1495

我們的實驗室主要生產和銷售用于光學薄膜形成的真空蒸發(fā)材料。

我們提供各種材料來形成防反射膜，濾光片，透明導電膜，保護膜等。

該產品通過利用無機材料的粉末燒結技術來抑制氣相沉積過程中飛濺和廢氣的產生。

真空蒸鍍材料產品列表

■材料形狀
顆粒型φ5-90mm等，顆粒型0.5-1.5mm，1-3mm，長型，其他特殊形狀（拱形）

顆粒圖片顆粒圖片顆粒照片（脫氣型）顆粒照片（長型）拱門照片
顆粒顆粒顆粒（脫氣型）顆粒
（長型）		拱

■氣相沉積法
電子束（EB），離子束，電阻加熱，激光燒蝕等。

沒有。產品名稱（氧化物）沒有。產品名稱（氧化物）
1個Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）13SnO2（氧化錫）
2CeO2（氧化鈰）14Ta2O5（五氧化二鉭）
3Cr2O3（氧化鉻）15Ti3O5（五氧化鈦）
四個Fe2O3（氧化鐵）16TiO（一氧化鈦）
五Ga2O3（氧化鎵）17TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
6HfO2（氧化ha-氧化f）18歲WO3（氧化鎢）
7ITO（In2O3 + SnO2）19Y2O3（氧化釔-氧化釔）
8MgO（氧化鎂-氧化鎂）　20Yb2O3（氧化y）
9Nb2O5（五氧化二鈮）二十一ZnO（氧化鋅）
十NiO（氧化鎳）二十二ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
11SiO（一氧化硅）二十三ZRT2（ZrO2 + TiO2）
12SiO2（氧化硅）  
沒有。產品名稱（氟化物）沒有。產品名稱（氟化物）
二十四AlF3（氟化鋁）31LiF（氟化鋰）
二十五BaF2（氟化鋇）32MgF2（氟化鎂）
26BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）33NaF（氟化鈉）
27CaF2（氟化鈣）34NdF3（氟化釹）
28CeF3（氟化鈰）35SmF3（氟化mar）
29GdF3（氟化ga）36YbF3（氟化tter）
30LaF3（氟化鑭）37YF3（氟化釔）
沒有。產品名稱（硫化物）沒有。產品名稱（硫化物）
38硫化鋅  
沒有。產品名稱（氮化物）沒有。產品名稱（氮化物）
39AlN（氮化鋁）41TiN（氮化鈦）
40Si3N4（氮化硅）  

1號膜 /材料特性
Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）Al2O3（氧化鋁-氧化鋁）
膜特性
[折射率] 1.63（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.2至8μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 4.0g / cm 3
[熔點] 2046℃[沸點] 2980℃
[物質]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：難溶

2號膜 /材料特性
CeO2（氧化鈰）CeO2（氧化鈰）
膜特性
[折射率] 2.2（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.4-16μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 7.3 g / cm 3
[熔點] 1950°C [沸點]-
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：
不溶于酸不溶于HCl，H 2溶于 SO 4和HNO 3

3號膜 /材料特性
Cr2O3（氧化鉻）Cr2O3（氧化鉻）
薄膜特性
[折射率] 2.24-i0.07（約700 nm）
[ 工作波長范圍] 1.2至10μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 5.21 g / cm 3
[熔點] 2435°C [沸點] 4000°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：不溶

4號膜 /材料特性
Fe2O3（氧化鐵）Fe2O3（氧化鐵）
膜特性
[折射率] 3.0（
550nm 左右）[工作波長范圍]0.8??
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 5.24 g / cm 3
[熔點] 1,565°C [沸點]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學藥品性：可溶于鹽酸和硫酸

5號膜 /材料特性
Ga2O3（氧化鎵）Ga2O3（氧化鎵）
膜特性
[折射率] 1.45（約550 nm）
[波長范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 5.95 g / cm 3
[熔點] 1900°C [沸點]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：不溶

6號膜 /材料特性
HfO2（氧化ha-氧化f）HfO2（氧化ha-氧化f）
膜特性
[折射率] 1.95（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.23至12μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 9.68 g / cm 3
[熔點] 2810°C [沸點] 5400°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：不溶

7號膜 /材料特性
ITO（In2O3 + SnO2）顆粒ITO（In2O3 + SnO2）
膜特性
[折射率] 2.06-i0.016（近500 nm）
[ 工作波長范圍] 0.4至1μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[產品密度]-
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]
In2O3 = 可溶性（酸：無定形），不溶（水（酸：結晶））
三角體系：850℃（揮發(fā)性）
SnO2 =熔點：1630°C，沸點：180-1900°C（升華）
可溶性（KOH，NaOH），不溶（水，王水）

8號膜 /材料特性
MgO（氧化鎂-氧化鎂）MgO（氧化鎂-氧化鎂）
薄膜特性
[折射率] 1.74（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.23至9μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 3.58 g / cm 3
[熔點] 2800°C [沸點] 3600°C　
[性能]○水溶性：－○耐化學性（酸，堿）：可溶

9號膜 /材料特性
Nb2O5（五氧化二鈮）Nb2O5（五氧化二鈮）
膜特性
[折射率] 2.33（約500 nm）
[工作波長范圍] 0.32至8μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.47 g / cm 3
[熔點] 1520°C [沸點]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

10號膜 /材料特性
NiO（氧化鎳）NiO（氧化鎳）
膜特性
[折射率]-
[波長范圍]-　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 6.82 g / cm 3
[熔點] 1955°C [沸點]-　
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：溶于鹽酸

11號膜 /材料特性
SiO（一氧化硅）SiO（一氧化硅）
膜特性
[折射率] 1.9（
550nm 附近）[工作波長范圍] 0.55?8?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 2.24 g / cm 3
[熔點] 1,700°C以下[沸點]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性：可溶于鹽酸和硫酸

12號膜 /材料特性
SiO2（氧化硅）SiO2（氧化硅）
膜特性
[折射率] 1.46（近500 nm）
[ 工作波長范圍] 0.16-8μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 2.20 g / cm 3
[熔點] 1500°C [沸點] 2230°C [ 材料
]○水溶性：不溶，不溶于酸，堿

13號膜 /材料特性
SnO2（氧化錫）SnO2（氧化錫）
膜特性
[折射率] 2.0（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.4?1.5?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 6.95 g / cm 3
[熔點] 1,565°C [沸點]-　
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性：可溶于鹽酸和硫酸

14號膜 /材料特性
Ta2O5（五氧化二鉭）Ta2O5（五氧化二鉭）
膜特性
[折射率] 2.16（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.35至10μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 8.73 g / cm 3
[熔點] 1468°C [沸點]-
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿

15號膜 /材料特性
Ti3O5（五氧化鈦）Ti3O5（五氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度]-
[熔點]-[沸點]-
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：溶于稀硫酸/稀鹽酸

16號膜 /材料特性
TiO（一氧化鈦） TiO（一氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.93 g / cm 3
[熔點] 1750°C [沸點] 3000°C
[材料]○水溶性：－○耐化學性（酸，堿）：可溶于稀硫酸/稀鹽酸

17號膜 /材料特性
TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦）
膜特性
[折射率] 2.3至2.55（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.35至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 4.26 g / cm 3
[熔點] 1850°C [沸點] 3000°C
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：可溶于硫酸和堿

18號膜 /材料特性
WO3（氧化鎢）WO3（氧化鎢）
膜特性
[折射率] 2.2（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.4μm?
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		物性
[理論密度] 7.15 g / cm 3
[熔點] 1473°C [沸點]-
[性質]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：溶于堿性水溶液

19號膜 /材料特性
Y2O3（氧化釔-氧化釔） Y2O3（氧化釔-氧化釔）
膜特性
[折射率] 1.87（約550 nm）
[ 工作波長范圍] 0.25至2μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.03 g / cm 3
[熔點] 2410℃[沸點] 4300℃
[性能]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：溶于酸，不溶于堿
20號膜 /材料特性
Yb2O3（氧化y）Yb2O3（氧化y）
膜特性
[折射率] 1.75（
550nm 附近）[工作波長范圍]0.28??　
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度] 9.2 g / cm 3
[熔點] 1,127°C [沸點] 1,850°C [　材料
]○水溶性：不溶

21號膜 /材料特性
ZnO（氧化鋅） 　　　 ZnO（氧化鋅） 　　　
膜特性
[折射率] 2.1（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.35至20μm　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.47 g / cm 3
[熔點] 1975°C [沸點]-
[性能]○水溶性：微溶性○耐化學性（酸，堿）：可溶　

 

22號膜 /材料特性
ZrO2（氧化鋯-氧化鋯） ZrO2（氧化鋯-氧化鋯）
膜特性
[折射率] 2.05（約550 nm）
[ 工作波長范圍] 0.3至8μm
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.56g / cm 3
[熔點] 2677℃[沸點] 4548℃　
[性質]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：可溶于硫酸，氫fu酸

23號膜 /材料特性
ZRT2（ZrO2 + TiO2）ZRT2（ZrO2 + TiO2）
膜特性
[折射率] 2.10（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.3到7μm
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度]-
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]-

24號膜 /材料特性
AlF3（氟化鋁） AlF3（氟化鋁）
膜特性
[折射率] 1.38（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.22至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度] 2.88 g / cm 3
[熔點] 1040°C [沸點] 1260°C（升華）
[ 材料 ]○水溶性：可溶

25號膜 /材料特性
BaF2（氟化鋇）BaF2（氟化鋇）
膜特性
[折射率] 1.48（約
550nm ）[工作波長范圍] 0.25?15E　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度] 4.87g / cm 3（20℃）
[熔點] 1,287℃[沸點] 1,287℃[　材料
]○水溶性：0.16g / 100g 20℃

26號膜 /材料特性
BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔）
薄膜特性
[折射率]-
[波長范圍]-　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料特性
[理論密度]-　
[熔點]-[沸點]-　
[性質]-　

27號膜 /材料特性
CaF2（氟化鈣） CaF2（氟化鈣）
膜特性
[折射率] 1.23至1.45（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.15至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點] 1418°C [沸點] 2500°C
[材料]○水溶性：水18°C 0.0016g / 100g，微溶（稀無機酸），不溶：乙酸

28號膜 /材料特性
CeF3（氟化鈰） CeF3（氟化鈰）
薄膜特性
[折射率] 1.63（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.3至12μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，電子束		材料性能
[理論密度] 5.8 g / cm 3
[熔點] 1324°C [沸點] 1360°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：不溶于酸

29號膜 /材料特性
GdF3（氟化ga）GdF3（氟化ga）
膜特性
[折射率] 1.59（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.28μm?
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度]-
[熔點] 1231℃[沸點] 2277℃
[ 材料 ]不溶（水）

30號膜 /材料特性
LaF3（氟化鑭）LaF3（氟化鑭）
薄膜特性
[折射率] 1.59（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.22至14μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		材料性能
[理論密度] 5.9 g / cm 3
[熔點] 1490°C [沸點] 2300°C
[材料]○水溶性：不溶○耐化學性（酸，堿）：不溶于酸

31號膜 /材料特性
LiF（氟化鋰）LiF（氟化鋰）
膜特性
[折射率] 1.3（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.11至8μm
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		物性
[理論密度] 2.64 g / cm 3
[熔點] 842°C [沸點] 1680°C [ 材料
]○水溶性：微溶可溶性：氫fu酸

32號膜 /材料特性
MgF2（氟化鎂）MgF2（氟化鎂）
膜特性
[折射率] 1.38至1.4（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.13至10μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 3.2 g / cm 3
[熔點] 1248°C [沸點] 2260°C
[材料]○水溶性：微溶和可溶（NHO3）

33號膜 /材料特性
NaF（氟化鈉）NaF（氟化鈉）
膜特性
[折射率] 1.34（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.13至15μm　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱		材料特性
[理論密度] 2.78 g / cm 3
[熔點] 988°C [沸點] 1704°C [ 材料
]可溶性（水，氫fu酸）

34號膜 /材料特性
NdF3（氟化釹） 　　　　　　 NdF3（氟化釹） 　　　　　　
膜特性
[折射率] 1.61（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.17至12μm　
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點] 1374°C [沸點] 2327°C [ 材料
]-

35號膜 /材料特性
SmF3（氟化mar）SmF3（氟化mar）
膜特性
[折射率]-
[使用的波長范圍]-
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 6.5 g / cm 3
[熔點] 1306°C。[沸點] 2427°C。
[自然]可溶性（硫酸鹽），不溶（水）

36號膜 /材料特性
YbF3（氟化tter）YbF3（氟化tter）
膜特性
[折射率] 1.5（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.22-12μm
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料特性
[理論密度] 8.2g / cm 3
[熔點] 1157℃[沸點] 2230℃
[ 材料 ]-　　

37號膜 /材料特性
YF3（氟化釔）YF3（氟化釔）
膜特性
[折射率] 1.5（550 nm附近）
[工作波長范圍] 0.2-14μm　
[蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱		材料性能
[理論密度] 5.07 g / cm 3
[熔點] 1152°C [沸點] 2230°C [ 材料
]不溶（水），分解（濃酸）

38號膜 /材料特性
硫化鋅硫化鋅
膜特性
[折射率] 2.35（約550 nm）
[工作波長范圍] 0.38?1.4?　
[蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB		物性
[理論密度] 4.06 g / cm 3
[熔點] 1,850℃[沸點]-
[ 材料 ]○水溶性：不溶　

39號膜 /材料特性
AlN（氮化鋁）AlN（氮化鋁）
膜特性
[折射率] 1.9-2.2（630 nm附近）
[工作波長范圍]0.3??IR
[蒸發(fā)方法] EB		材料性能
[理論密度] 3.25 g / cm 3
[熔點] 3,000°C [沸點]-
[ 材料 ]○水溶性：與水反應（生成氨）

40號膜 /材料特性
Si3N4（氮化硅）Si3N4（氮化硅）
膜特性
[折射率] 1.72（約1,500?）
[ 工作波長范圍]0.25-9?　
[蒸發(fā)方法] EB		材料特性
[理論密度] 3.18 g / cm 3
[熔點]-[沸點]-[ 材料
]○水溶性：不溶　

41號膜 /材料特性
TiN（氮化鈦）TiN（氮化鈦）
膜特性
[折射率] 1.39-i2.84（650 nm附近）
[ 工作波長范圍]-　
[蒸發(fā)方法] EB		物性
[理論密度] 5.44 g / cm 3
[熔點] 2,980°C。[沸點]以上
[性質]○可溶：不溶